SK hynix

Первые модули DDR5 успешно прошли фазу тестирования

СМИ: SK Hynix получила разрешение на строительство в Южной Корее мега-фабрики за 106 миллиардов долларов

18 ГБ ОЗУ в смартфоне — теперь реальность. SK Hynix начала выпуск соответствующих модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM


Team Group анонсировала модули DDR5 формата SO-DIMM для мини-ПК и ноутбуков

У Team Group готовы первые модули DDR5 потребительского уровня

SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND

За $9 млрд SK Hynix выкупает у Intel бизнес по производству флэш-памяти NAND

У SK Hynix готова «первая в мире» память DDR5 DRAM

Samsung и SK Hynix прекращают продажу DRAM и NAND чипов компании Huawei

Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM

JEDEC утвердила стандарт оперативной памяти DDR5

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

24 Гбит и DDR5-4800 для первого поколения. SK Hynix начнет выпускать чипы DDR5 уже в этом году

SK hynix разработала более эффективную технологию производства 16-гигабитных чипов DDR4 DRAM

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

SK Hynix начала серийный выпуск первой в мире 128-слойной флэш-памяти 4D NAND

SK Hynix выведет на рынок память DDR5 к 2020 году и уже работает над DDR6

Samsung, Micron и Hynix, похоже, не избежать штрафа за ценовой сговор на рынке DRAM

SK Hynix анонсировала первый в отрасли чип памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит, отвечающий спецификациям JEDEC

SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

Samsung, Micron и Hynix грозит штраф до $8 млрд за ценовой сговор на рынке DRAM

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек

Конец эпопеи: Toshiba продает свой полупроводниковый бизнес за $18 млрд

SK Hynix представила первые микросхемы памяти GDDR6 с пропускной способностью до 768 Гбайт/с


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: