SK hynix

MSI ожидает, что память DDR5 будет на 50-60% дороже DDR4

SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с

G.Skill анонсировала наборы модулей памяти Trident Z5 DDR5 с частотой до 6400 МГц

Samsung начала массовый выпуск памяти DDR5 — по техпроцессу 14-нм с использованием EUV-литографии

JEDEC утвердила стандарт высокоскоростной памяти LPDDR5X — с пропускной способностью до 8533 Мбит/с

SK hynix начинает массовое производство чипов DRAM по нормам техпроцесса 1a с использованием EUV-литографии

TeamGroup анонсировала 32-гигабайтный комплект из двух модулей памяти SO-DIMM DDR5-4800 за 400 долларов

Yolle Developpement: DDR5 обойдёт по поставкам DDR4 к 2023 году

Первые модули DDR5 успешно прошли фазу тестирования

СМИ: SK Hynix получила разрешение на строительство в Южной Корее мега-фабрики за 106 миллиардов долларов

18 ГБ ОЗУ в смартфоне — теперь реальность. SK Hynix начала выпуск соответствующих модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM

Team Group анонсировала модули DDR5 формата SO-DIMM для мини-ПК и ноутбуков

У Team Group готовы первые модули DDR5 потребительского уровня

SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND

За $9 млрд SK Hynix выкупает у Intel бизнес по производству флэш-памяти NAND

У SK Hynix готова «первая в мире» память DDR5 DRAM

Samsung и SK Hynix прекращают продажу DRAM и NAND чипов компании Huawei

Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM

JEDEC утвердила стандарт оперативной памяти DDR5

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

24 Гбит и DDR5-4800 для первого поколения. SK Hynix начнет выпускать чипы DDR5 уже в этом году

SK hynix разработала более эффективную технологию производства 16-гигабитных чипов DDR4 DRAM

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

SK Hynix начала серийный выпуск первой в мире 128-слойной флэш-памяти 4D NAND


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: