SK hynix

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

SK Hynix начала серийный выпуск первой в мире 128-слойной флэш-памяти 4D NAND

SK Hynix выведет на рынок память DDR5 к 2020 году и уже работает над DDR6


Samsung, Micron и Hynix, похоже, не избежать штрафа за ценовой сговор на рынке DRAM

SK Hynix анонсировала первый в отрасли чип памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит, отвечающий спецификациям JEDEC

SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

Samsung, Micron и Hynix грозит штраф до $8 млрд за ценовой сговор на рынке DRAM

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек

Конец эпопеи: Toshiba продает свой полупроводниковый бизнес за $18 млрд

SK Hynix представила первые микросхемы памяти GDDR6 с пропускной способностью до 768 Гбайт/с

SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD

У SK Hynix готовы первые в мире микросхемы мобильной памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ

Обзор накопителя SK Hynix Canvas SL308 500 ГБ

Устройства на модулях памяти HBM2 производства SK hynix станут доступны пользователям уже в этом году


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: