Ученым IBM T. J. Waston Research Center удалось продемонстрировать работу графенового полевого транзистора на частотах гигагерцевого диапазона достигнув самого высокого быстродействия для этого инновационного безкремниевого электронного материала.
Быстрота функционирования транзистора определяется размером устройства и скоростью движения электронов. Зависимость от размера определяет тенденцию продолжающейся миниатюризации кремниевых микросхем. Ключевым же преимуществом графена является очень высокая скорость распространения электронов.
Инженеры IBM изготовили полевые транзисторы из графена с характерным размером на нанометровом уровне. Они впервые установили, что производительность устройств растет с уменьшением их габаритов. Для транзистора с длиной затвора 150 нм достигнута максимальная частота 26 ГГц — наибольшая, зарегистрированная для графена на сегодняшний день.
Это стало важным этапом спонсируемой DARPA программы разработки нового поколения коммуникационных устройств CERA (Carbon Electronics for RF Applications).
В компании IBM считают вполне осуществимым получение графенового транзистора с длиной затвора 50 нм и улучшенными диалектрическими материалами, работающего на терагерцевых частотах. На следующей фазе проекта ученые планируют создать радиочастотные схемы на основе таких устройств.