Перші чипи на техпроцесі Samsung SF3E (3 нм) помічені в устаткуванні для майнінгу

Опубликовал
Андрій Русанов

Приблизно рік тому Samsung розпочала виробництво чипів на техпроцесі SF3E (3 нм), але жоден замовник чипів не був помітним у його використанні. Перші такі чипи нещодавно помічені в ASIC MicroBT Whatsminer M56S++. Пристрої ASIC служать для майнінгу криптовалют.

Про Whatsminer M56S ++ відомо не так багато. Він використовує алгоритм SHA-256 та забезпечує хешрейт 200TH/s~212TH/s, споживаючи 5550 Вт від трифазної мережі 380 В. Вимоги щодо найбільшої можливої ​​ефективності ASIC роблять їх добрим випробувальним полігоном для новинок напівпровідникової індустрії. Samsung нічого не говорить про використання чипів SF3E в ASIC або інших сторонніх пристроях, але заявляє про їхнє застосування у власній техніці.

«Ми масово використовуємо техпроцес 3 нм першого покоління зі стабільним виходом чипів. На основі цього досвіду ми розробляємо процес другого покоління, щоб розширити можливості масового виробництва».

У порівнянні з технологією 5 нм класу Samsung другого покоління (SF5, 5LPP), технологія SF3E (також відома як 3GAE) знижує енергоспоживання чипів приблизно на 45% при збереженні тієї ж складності та частоти або підвищує продуктивність на 23% з аналогічною кількістю транзисторів за одиницю часу. Крім того, інтегральні схеми 3 нм займають на 16% меншу площу.

Онлайн-курс "Проджект-менеджер в ІТ" від Laba.
Навчіться запускати, контролювати й успішно реалізовувати ІТ-проєкти. Пройти весь шлях проєктного управління на реальному кейсі вам допоможе PMD із 19-річним досвідом в ІТ.
Детальніше про курс

Джерело: Tom’s Hardware

Disqus Comments Loading...