Приблизно рік тому Samsung розпочала виробництво чипів на техпроцесі SF3E (3 нм), але жоден замовник чипів не був помітним у його використанні. Перші такі чипи нещодавно помічені в ASIC MicroBT Whatsminer M56S++. Пристрої ASIC служать для майнінгу криптовалют.
Про Whatsminer M56S ++ відомо не так багато. Він використовує алгоритм SHA-256 та забезпечує хешрейт 200TH/s~212TH/s, споживаючи 5550 Вт від трифазної мережі 380 В. Вимоги щодо найбільшої можливої ефективності ASIC роблять їх добрим випробувальним полігоном для новинок напівпровідникової індустрії. Samsung нічого не говорить про використання чипів SF3E в ASIC або інших сторонніх пристроях, але заявляє про їхнє застосування у власній техніці.
«Ми масово використовуємо техпроцес 3 нм першого покоління зі стабільним виходом чипів. На основі цього досвіду ми розробляємо процес другого покоління, щоб розширити можливості масового виробництва».
У порівнянні з технологією 5 нм класу Samsung другого покоління (SF5, 5LPP), технологія SF3E (також відома як 3GAE) знижує енергоспоживання чипів приблизно на 45% при збереженні тієї ж складності та частоти або підвищує продуктивність на 23% з аналогічною кількістю транзисторів за одиницю часу. Крім того, інтегральні схеми 3 нм займають на 16% меншу площу.
Джерело: Tom’s Hardware
