SK hynix почала виробництво 238-шарової пам’яті 3D NAND — шина 2400 МТ/с дозволить повністю завантажити PCIe 5.0 x4

Опубликовал
Андрей Русанов

SK hynix розпочала масове виробництво 238-шарових модулів пам’яті 3D NAND. Нові чипи забезпечують швидкість передачі даних 2400 МТ/с і можуть використовуватися для наступного покоління твердотілих накопичувачів з інтерфейсом PCIe 5.0 x4 зі швидкістю послідовного читання/запису 12 ГБ/с та вище.

Головною перевагою 238 шарів TLC NAND IC від SK Hynix є швидкість інтерфейсу 2400 МТ/с. Це на 50% більше у порівнянні з актуальним поколінням. Така пропускна здатність необхідна для насичення інтерфейсу PCIe – пристрої 3D NAND на 1600 МТ/с не можуть завантажити шину на повну.

Перший 238-шаровий пристрій 3D NAND від SK hynix є модулем 3D TLC місткістю 64 ГБ, продуктивність якого на 34% вища, ніж в аналога, виготовленого на 176-шаровий 3D NAND. Новий інтерфейс обіцяє до 34% зниження вартості зберігання біта, що підвищує конкурентоспроможність нових модулів. Крім того, енергоспоживання під час читання знижується на 21%, що особливо актуально для портативних пристроїв.

Модулі базуються на флешпам’яті з пасткою заряду (CTF) та використовують запатентоване компонування периферійних пристроїв під осередками (PUC) – особливість, яку виробник маркує як 4D NAND. Це компонування дозволяє зменшити розмір пристроїв пам’яті, що сприяє зниженню їх вартості.

Онлайн-курс "Чистий код та патерни проєктування" від robot_dreams.
Прискорюйте й спрощуйте процес розробки.Під менторством лектора з 15-річним досвідом ви навчитеся застосовувати 20+ шаблонів, опануєте рефакторинг і принципи чистого коду.
Детальніше

На початку SK Hynix розгорне виробництво нової пам’яті для смартфонів, потім розширить її використання на інші продукти. Виробництво пам’яті стартувало у травні. Перші продукти з її використанням очікуються у другій половині цього року.

Джерела: SK hynix, Tom’s Hardware

Disqus Comments Loading...