SK hynix розпочала масове виробництво 238-шарових модулів пам’яті 3D NAND. Нові чипи забезпечують швидкість передачі даних 2400 МТ/с і можуть використовуватися для наступного покоління твердотілих накопичувачів з інтерфейсом PCIe 5.0 x4 зі швидкістю послідовного читання/запису 12 ГБ/с та вище.
Головною перевагою 238 шарів TLC NAND IC від SK Hynix є швидкість інтерфейсу 2400 МТ/с. Це на 50% більше у порівнянні з актуальним поколінням. Така пропускна здатність необхідна для насичення інтерфейсу PCIe – пристрої 3D NAND на 1600 МТ/с не можуть завантажити шину на повну.
Перший 238-шаровий пристрій 3D NAND від SK hynix є модулем 3D TLC місткістю 64 ГБ, продуктивність якого на 34% вища, ніж в аналога, виготовленого на 176-шаровий 3D NAND. Новий інтерфейс обіцяє до 34% зниження вартості зберігання біта, що підвищує конкурентоспроможність нових модулів. Крім того, енергоспоживання під час читання знижується на 21%, що особливо актуально для портативних пристроїв.
Модулі базуються на флешпам’яті з пасткою заряду (CTF) та використовують запатентоване компонування периферійних пристроїв під осередками (PUC) – особливість, яку виробник маркує як 4D NAND. Це компонування дозволяє зменшити розмір пристроїв пам’яті, що сприяє зниженню їх вартості.
На початку SK Hynix розгорне виробництво нової пам’яті для смартфонів, потім розширить її використання на інші продукти. Виробництво пам’яті стартувало у травні. Перші продукти з її використанням очікуються у другій половині цього року.
SSD на 300 ТБ: Pure Storage обіцяє модулі DirectFlash Module у 2026 році
Джерела: SK hynix, Tom’s Hardware
