Компания Samsung обожает быть первым парнем во дворе лидером в индустрии памяти, и надо признать, что это ей удается сполна. Очень часто именно Samsung первой в отрасли начинает производство передовых микросхем памяти разных типов. История повторяется в случае с новым типом памяти DRAM.
Так называемые модули памяти HBM2 могут похвастаться рекордной пропускной способностью – 256 ГБ/с (нет, здесь нет опечатки, большая буква «Б» здесь на своем месте), что в семь раз превосходит лучшие существующие на рынке чипы типа DDR5.
Как отмечает Samsung, в первую очередь новые 20-нм чипы будут нацелены на производителей серверов. Вместе с тем, они также могут быть использованы компаниями NVIDIA и AMD для существенного повышения производительности будущих графических адаптеров.
Сейчас компания Samsung выпускает модули памяти объемом 4 ГБ, используя четыре кристалла плотностью 8 Гбит каждый, но уже к концу года южнокорейский гигант планирует приступить к выпуску микросхем вдвое большего объема – 8 ГБ. Эти микросхемы будут включать в себя уже восемь связанных в одном корпусе чипов, расположенных стопкой.
Компания Samsung особо подчеркивает, что использование этих чипов в графических картах обеспечит дополнительную гибкость конструкторам, поскольку экономия с точки зрения занимаемого места по сравнению с памятью типа GDDR5 составляет более 95%. Это означает, что NVIDIA и AMD смогут создавать более компактные и быстрые видеокарты с более низким TDP. Микросхемы объемом 4 ГБ, массовое производство которых уже началось, могут найти применение уже в следующем поколении потребительских видеокарт, тогда как 8 ГБ модели, скорее всего, будут использоваться в профессиональных видеокартах NVIDIA Kepler и AMD FirePro.