Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью. HBM3 — четвертое поколение…
Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла всех подробностей, но кое-что выделить все же…
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. Без малого год потребовалось SK…
В конце прошлого месяца комитет JEDEC опубликовал обновлённую версию стандарта памяти HBM2. В спецификацию была добавлена поддержка ещё более высоких скоростей – до 3,2 Гбит/с на один вывод, и…
Компания SK Hynix сегодня объявила о завершении разработки памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2, использующейся сейчас в…
Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти GDDR6, предназначенных для использования в видеокартах, игровых, сетевых и…
Вчера компания SK Hynix сообщила о выпуске самой быстрой в отрасли памяти для графических подсистем. Речь идет о микросхемах памяти GDDR6 плотностью 8 Гбит (1 ГБ), которые будут изготавливаться по…
Компания Samsung обожает быть первым парнем во дворе лидером в индустрии памяти, и надо признать, что это ей удается сполна. Очень часто именно Samsung первой в отрасли начинает производство…
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли микросхем памяти типа GDDR5 плотностью 8 Гбит, построенных на основе 20-нм технологического процесса.
