Samsung разработала более емкую и энергоэкономную память на базе технологии 3D TSV

Samsung объявила о разработке модуля регистровой памяти на основе технологии Green DDR3 DRAM. Новый модуль памяти, недавно прошедший испытания у клиентов Samsung, обеспечивает высокую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной (3D) упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV).

Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, по заявлению компании, дает возможность экономить до 40 % энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, технология TSV обеспечивает увеличение емкости чипов, и это поможет сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения. Наряду с 30-процентным сокращением количества слотов для памяти в новых серверах, технология TSV также позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50%, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем.

При использовании технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными, можно сделать сигнальные линии короче, благодаря чему многоуровневая микросхема будет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.

Ожидается, что начиная с 2012 года технология 3D TSV начнет получать все более широкое распространение. Samsung планирует внедрить технологию TSV в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм и менее.