Компания SK hynix заявила, что она разработала первые в мире 238-слойные чипы памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Примечательно, что новейшее 238-слойное решение является одновременно самым многослойным и наименьшим по площади.
Благодаря небольшим размерам общая производительность производства увеличилась на 34% по сравнению с 176-слойной памятью NAND, поскольку из каждой пластины можно производить больше чипов с более высокой плотностью на единицу площади.
Скорость передачи данных 238-слойного чипа составляет 2,4 Гбит/с, что на 50% больше, чем у предыдущего поколения. При этом количество энергии, потребляемой для чтения данных, снизилось на 21%.
SK hynix уже начала предоставлять клиентам образцы 238-слойных чипов памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Сначала они будут применяться для клиентских твердотельных накопителей, а затем будут предоставлены решения для смартфонов и твердотельных накопителей большой ёмкости для серверов. В следующем году компания также представит 238-слойные чипы ёмкостью 1 Тбит, плотность хранения данных которых удвоится по сравнению с нынешними устройствами ёмкостью 512 Гбит.
Источник: videocardz