SK hynix начала массовое производство 238-слойных модулей памяти 3D NAND. Новые чипы обеспечивают скорость передачи данных 2400 МТ/с и могут использоваться для производства следующего поколения твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4 со скоростью последовательного чтения/записи 12 ГБ/с и выше.
Ключевым преимуществом 238 слоев TLC NAND IC от SK hynix является скорость интерфейса 2400 МТ/с. Это на 50% больше по сравнению с актуальным поколением. Такая пропускная способность необходима для насыщения интерфейса PCIe – устройства 3D NAND на 1600 МТ/с не могут загрузить шину по полной.
Первое 238-слойное устройство 3D NAND от SK hynix представляет собой модуль 3D TLC емкостью 64 ГБ, производительность которого на 34% выше, чем у аналога, изготовленного на 176-слойной 3D NAND. Новый интерфейс обещает до 34% снижение стоимость хранения бита, что повышает конкурентоспособность новых модулей. Кроме того, энергопотребление во время чтения снижается на 21%, что особо актуально для портативных устройств.
Модули базируются на флэш-памяти с ловушкой заряда (CTF) и используют запатентованную компоновку периферийных устройств под ячейками (PUC) – особенность, которую производитель маркирует как 4D NAND. Эта компоновка позволяет уменьшить размер устройств памяти, что способствует снижению их стоимости.
В начале SK hynix развернет производство новой памяти для смартфонов, затем расширит ее использование на другие продукты. Производство памяти стартовало в мае. Первые продукты с ее использованием ожидаются во второй половине этого года.
Источник: SK hynix, Tom’s Hardware