Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).
Samsung в этом квартале запустит массовое производство по техпроцессу 3GAE с использованием транзисторов GAAFET (MBCFET)
Компания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early). Это будет первая в отрасли…