Новости Технологии 23.05.2022 в 14:13 comment views icon

IMEC представила дорожную карту производства транзисторов по техпроцессу менее 1 нм

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/photo_2022-02-28_17-50-39-1-96x96.jpg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/photo_2022-02-28_17-50-39-1-96x96.jpg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/photo_2022-02-28_17-50-39-1-96x96.jpg

Максим Григор'єв

Автор новостей

Компания IMEC раскрыла детали дорожной карты по технологическим узлам, которые ждут нас до 2036 года. Презентация прошла на Future Summit в Антверпене (Бельгия).

IMEC представила дорожную карту производства транзисторов по техпроцессу менее 1 нм

Исследовательская компания подготовила отчет, в котором рассказали об использовании узлов в передовых полупроводниках (ЦП, ГП, SOC и т. д.), раскрывая, что нас ждет за пределами 1 нм.

Дорожная карта включает транзисторы FinFET, которые будут работать до 3 нм, до новых нанолистов Gate All Around (GAA) и конструкций вилочных листов от 2 нм до A7 (семь ангстремов).

Начиная с 1 нм узлы процесса начинают измеряться «ангстремами». 10 ангстрем равны 1 нм, поэтому узлы размером менее 1 нм будут поставляться с A7. Это произойдет с 2030 года.

Транзисторы Gate All Around (GAA)/Nanosheet дебютируют в 2024 году с 2-нм узлом, заменив FinFET, которые используются в современных усовершенствованных чипах. Intel уже показала микросхемы RibbonFET с четырьмя листами, в которых используются различные варианты этой транзисторной технологии.

Курс QA.
Найпростіший шлях розпочати кар'єру в ІТ та ще й з гарантованим працевлаштуванням.
Дізнатись про курс

На литографических машинах EUV 4-го поколения с апертурой 0,33 можно использовать мультипаттерны (более одной экспозиции на слой), чтобы создавать чипы на 2 нм и выше. Но из-за повторной печати одного слоя увеличивается вероятность появления дефектов, что приведет к снижению производительности, увеличению производства и затрат.

Машины пятого поколения с апертурой 0,55 смогут создавать меньшие структуры за одну экспозицию, что увеличит скорость производства более 200 пластин в час. Такие инструменты для массового производства появятся уже в 2026 году, а первую литографическую машину с высокой апертурой завершат в первой половине 2023 года. Компания ASML потратила на ее создание $400 млн.

IMEC ожидает, что транзисторы GAA/nanosheet и forksheet будут использоваться вплоть до узлов A7 (менее 1 нм). До 2032 года будут использоваться комплементарные полевые транзисторы (CFET), а к 2036 году фирма ожидает, что будут использоваться транзисторы CFET с атомными каналами.

Возможность увеличить плотность транзисторов и уменьшить размер узла будет иметь решающее значение для повышения производительности вычислений и добавления новых функций. Дальнейшее увеличение плотности транзисторов потребует усовершенствованных процессов Back End of Line (BEOL). Они сосредоточены на соединении транзисторов вместе, обеспечивая как связь (сигналы), так и подачу питания.

IMEC называет эти методы повышения вторичной плотности «усилителями масштабирования», поскольку они способствуют увеличению плотности и производительности транзисторов, даже если они не связаны напрямую с размером / размещением транзисторов.

IMEC считает, что закон Мура будет продолжать выполняться, что станет проблемой для всей отрасли, особенно в связи с появлением машинного обучения. По мере развития узлов спрос на электроэнергию увеличивается, а затраты резко возрастают. Магнитные ворота могут стать альтернативой, ведь отрасль неумолимо движется к квантовым вычислениям.

Еврокомиссия одобрила «Закон о чипах» — с инвестициями более 43 млрд евро в расширение производства полупроводников

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: