Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. Без малого год потребовалось SK Hynix, чтобы развернуть полномасштабное производство — разработка HBM2E была завершена в августе 2019 года.
Основные реципиенты HBM (high-bandwidth memory) — высокопроизводительные ускорители вычислений для суперкомпьютеров.
По сравнению со старой памятью HBM2, использующейся сейчас в суперкомпьютерах и графических ускорителей, новая HBM2E обеспечивает в 1,5 раза большую пропускную способность — до 460 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук).
Фирменная технология TSV (Through Silicon Via) позволяет создавать модули максимального объема 16 ГБ, упаковывая восемь микросхем HBM2E плотностью 16 Гбит каждая в один корпус. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2.
В недавно представленной топовом ускорителе NVIDIA A100 используется пять 8-гигабайтных стеков HBM2 с эффективной частотой 2,4 ГГц, что соответствует пропускной способности буфера в 1,6 Тбайт/с. Если в его преемнике NVIDIA решит использовать новые чипы HBM2E производства SK Hynix, то пропускная способность буфера вырастет до впечатляющих 2,4 Тбайт/с.