SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.
Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM
Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла всех подробностей, но кое-что выделить все же…
SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. Без малого год потребовалось SK…
JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения
В конце прошлого месяца комитет JEDEC опубликовал обновлённую версию стандарта памяти HBM2. В спецификацию была добавлена поддержка ещё более высоких скоростей – до 3,2 Гбит/с на один вывод, и…
SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с
Компания SK Hynix сегодня объявила о завершении разработки памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2, использующейся сейчас в…