Новости
SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E


Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью. Без малого год потребовалось SK Hynix, чтобы развернуть полномасштабное производство — разработка HBM2E была завершена в августе 2019 года.

Основные реципиенты HBM (high-bandwidth memory) — высокопроизводительные ускорители вычислений для суперкомпьютеров.

По сравнению со старой памятью HBM2, использующейся сейчас в суперкомпьютерах и графических ускорителей, новая HBM2E обеспечивает в 1,5 раза большую пропускную способность — до 460 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук).

Фирменная технология TSV (Through Silicon Via) позволяет создавать модули максимального объема 16 ГБ, упаковывая восемь микросхем HBM2E плотностью 16 Гбит каждая в один корпус. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2.

В недавно представленной топовом ускорителе NVIDIA A100 используется пять 8-гигабайтных стеков HBM2 с эффективной частотой 2,4 ГГц, что соответствует пропускной способности буфера в 1,6 Тбайт/с. Если в его преемнике NVIDIA решит использовать новые чипы HBM2E производства SK Hynix, то пропускная способность буфера вырастет до впечатляющих 2,4 Тбайт/с.

Источник: Anandtech и SK Hynix


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: