Новости Новости 03.07.2020 в 12:03 comment

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

author avatar
https://secure.gravatar.com/avatar/7e8fea7f1b4653ed9e1cb2c65e965ae6?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/7e8fea7f1b4653ed9e1cb2c65e965ae6?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://itc.ua/wp-content/themes/ITC_6.0/images/no-avatar.svg

Володимир Скрипін

Ексзаступник головного редактора

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью. Без малого год потребовалось SK Hynix, чтобы развернуть полномасштабное производство — разработка HBM2E была завершена в августе 2019 года.

Основные реципиенты HBM (high-bandwidth memory) — высокопроизводительные ускорители вычислений для суперкомпьютеров.

По сравнению со старой памятью HBM2, использующейся сейчас в суперкомпьютерах и графических ускорителей, новая HBM2E обеспечивает в 1,5 раза большую пропускную способность — до 460 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук).

Фирменная технология TSV (Through Silicon Via) позволяет создавать модули максимального объема 16 ГБ, упаковывая восемь микросхем HBM2E плотностью 16 Гбит каждая в один корпус. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2.

В недавно представленной топовом ускорителе NVIDIA A100 используется пять 8-гигабайтных стеков HBM2 с эффективной частотой 2,4 ГГц, что соответствует пропускной способности буфера в 1,6 Тбайт/с. Если в его преемнике NVIDIA решит использовать новые чипы HBM2E производства SK Hynix, то пропускная способность буфера вырастет до впечатляющих 2,4 Тбайт/с.

Источник: Anandtech и SK Hynix

Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: