UMC, ведущий контрактный производитель полупроводников, анонсировал успешное изготовление функционирующих чипов SRAM с площадью, занимаемой отдельной ячейкой, менее 0,25 мкм2.
Эти микросхемы имеют уровень детализации 45 нм, производятся с применением метода иммерсионной литографии и используют новейшие технологии, такие как low-k-диэлектрик (k=2,5) или сверх-неглубокий переход (ultra shallow junction).
Выпуск работающих прототипов SRAM призван продемонстрировать возможности и надежность новой производственной технологии заказчикам UMC. Ее 45-нанометровые продукты обеспечивают 30%-ное уменьшение уровня детализации, 50%-ное — размеров 6-транзисторной ячейки SRAM, и 30%-ное увеличение производительности по сравнению с устройствами, изготовляемыми этой тайваньской компанией по 65-нанометовой технологии.
Работы над процессом 45 нм ведутся на заводе UMC Fab 12A, расположенном в Tainan Science Park на юге Тайваня, и использующем 300-миллиметровые заготовки.