SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.
Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM
Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла всех подробностей, но кое-что выделить все же…
Samsung, Micron и Hynix, похоже, не избежать штрафа за ценовой сговор на рынке DRAM
Несмотря на то, что суперцикл роста цен на память DRAM, длившийся девять кварталов, закончился, и, как известно, сейчас эта самая память начала дешеветь, угроза антимонопольного штрафа, нависшая…
Samsung, Micron и Hynix грозит штраф до $8 млрд за ценовой сговор на рынке DRAM
Не секрет, что память DRAM дорожает уже много кварталов подряд, за 2017 год цены выросли на 47%, что является самым высоким показателем за последние 30 лет. В декабре прошлого года ситуация привлекла…
Micron Technology разработала микродисплей на чипе
Новый WQVGA-микродисплей объединяет в себе ЖК-панель и управляющие схемы, он предназначен для портативных приложений, например встроенных в мобильные телефоны проекторов, и использует…
Количество памяти, встроенной в карты HD-SIM, превысит 128 МБ
Компании Infineon Technologies и Micron Technology сообщили о долгосрочном сотрудничестве с целью разработки карт HD-SIM (High-Density Subscriber Identity Module) с объемом памяти, превышающим 128 МБ.