Новости Новости 10.08.2017 в 13:01 comment

Samsung анонсировала терабитный чип V-NAND, позволяющий создавать SSD высокой ёмкости

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg

Вадим Карпусь

Автор новостей

Компания Samsung подготовила к выпуску первый чип памяти V-NAND (Vertical NAND), обладающий ёмкостью 1 Тбит. Такой чип представляет собой структуру с вертикально размещёнными стеками, что позволяет повысить плотность хранения данных по сравнению с традиционными 2D решениями.

Благодаря использованию данных чипов памяти V-NAND, компания Samsung намерена вывести на рынок новые твердотельные накопители высокой ёмкости. Так, объединив 16 подобных микросхем в одной упаковке, можно создать решение ёмкостью 2 ТБ для высокоёмких систем хранения данных. Такие SSD смогут более успешно конкурировать с традиционными жёсткими дисками в плане ёмкости, предлагая более высокую производительность.

Анонсированные чипы памяти появятся в составе готовых потребительских устройств уже в следующем году. Они могут применяться в широком перечне продуктов: смартфонах, цифровых камерах, ноутбуках, компьютерах и др.

Источник: Engadget

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: