Новини Технології 13.03.2025 о 18:00 comment views icon

Без кремнію: «перший у світі 2D-транзистор GAAFET» на 40% швидший за аналоги Intel

author avatar

Олександр Федоткін

Автор новин та статей

Без кремнію: «перший у світі 2D-транзистор GAAFET» на 40% швидший за аналоги Intel
Аналогічні транзистори від TSMC
Розділ Технології виходить за підтримки

Розробники з Пекінського університету заявили про створення першого у світі двовимірного малопотужного транзистора GAAFET.

Китайські дослідники називають власну розробку «багатошаровою, пластинчастою, монокристалічною двовимірною конфігурацією GAA.

«Це найшвидший і найефективніший транзистор з будь-коли створених. Якщо інновації в області чипів на основі існуючих матеріалів вважаються «коротким шляхом», то наша розробка транзисторів на основі 2D-матеріалів схожа на «зміну смуги руху»», — заявляє керівник дослідження, професор Пен Хайлін. 

Розробники запевняють, що їхній транзистор за результатами тестів перевершив аналогічні розробки Intel, TSMC, Samsung та інших виробників. Польові транзистори Gate-all-around, скорочено GAAFET, є наступним етапом еволюції транзисторної технології після MOSFET та FINFET.

Останні іновації у виробництві транзисторів були досягнуті переважно за рахунок покращення контролю за джерелами та кращим зв’язком із затворами. Якщо у MOSFET-транзисторів затвор контактує з джерелом лише в одній площині, у FINFET — затвори торкаються трьох площин, схема Gate-all-around охоплює всі джерела, що перетинаются у затворах. 

Такі транзистори не є чимось новим. Технологія виробництва транзисторів необхідна для виготовлення мікросхем на рівні 3 нанометрів та нижче. Однак ключова особливість китайської розробки полягає у двовимірних транзисторах, що зумовлено використанням альтернативних кремнієвим елементів.

У якості альтернативи кремнію китайські розробники використали напівпровідниковий матеріал оксиселенід вісмуту (Bi₂O₂Se), здатний бути двовимірним напівпровідником. Такі напівпровідники більш гнучкі та міцні, коли мають малі розмірі, порівняно із кремнієм, який демонструє знижену рухливість носіїв навіть на рівні у 10 нанометрів. 

Через торгівельну війну зі США Китай залишився без доступу до таких технологій, як EUV-літографія для виробництва інтегральних схем. У зв’язку з цим Китай інвестував великі кошти у створення альтернативних технологій. 

Оскільки США можуть посилити свої торговельні обмеження на доступ Китаю до технологій, включаючи потенційну заборону на технологію GAAFET, китайська технологічна індустрія намагається грати на випередження. 

Вчені створили електрохімічні транзистори з низкою унікальних властивостей для застосування у біоелектроніці та пристроях, що носяться

Матеріал опублікований у журналі Nature

Джерело: tomsHardware

Розділ Технології виходить за підтримки

Favbet Tech – це ІТ-компанія зі 100% украі‌нською ДНК, що створює досконалі сервіси для iGaming і Betting з використанням передових технологіи‌ та надає доступ до них. Favbet Tech розробляє інноваційне програмне забезпечення через складну багатокомпонентну платформу, яка здатна витримувати величезні навантаження та створювати унікальний досвід для гравців.


Що думаєте про цю статтю?
Голосів:
Файно є
Файно є
Йой, най буде!
Йой, най буде!
Трясця!
Трясця!
Ну такої...
Ну такої...
Бісить, аж тіпає!
Бісить, аж тіпає!
Loading comments...

Повідомити про помилку

Текст, який буде надіслано нашим редакторам: