IBM та Lam Research об’єднуються, щоб створити EUV-резист для мікросхем менше 1 нм — orbit&skyline

IBM та Lam Research оголосили про п’ятирічне співробітництво у розробці EUV-резиста для техпроцесу менше 1 нм.

Компанії планують розробити необхідний техпроцес для масштабування виробництва логічних мікросхем розміром менше 1 нм з використанням високоапертурної EUV-літографії та технології сухого резиста Aether від Lam. Розробка проводитиметься на базі науково-дослідного центру IBM Research у складі комплексу NY Creates Albany NanoTech Complex в Олбані на території штату Нью-Йорк.

Співробітництво IBM та Lam Research триває вже понад 10 років. Вони свого часу зробили значний внесок у розробку техпроцесу 7 нм, архітектури нанолистових транзисторів та інтеграцію ранніх EUV-процесів. У рамках партнерства, IBM у 2021 році заявила про перший у світі чип, створений за техпроцесом 2 нм.

Відповідно до нової угоди, ключова увага приділятиметься перевірці повноцінних техпроцесів для нанолистових та наностекових архітектур транзисторів та забезпечення живлення зі зворотного боку з використанням платформ травлення Kiyo й Akara від Lam, систем охолодження Striker та ALTUS Halo, а також сухого резисту Aether.

Традиційна літографія використовує хімічно посилені резисти, які обробляються вологим способом. Вони важко справляються з жорсткішими допусками, яких вимагають EUV-сканери з високою числовою апертурою. Натомість сухий резист Aether від Lam наноситься за допомогою парофазних прекурсорів, а не внаслідок центрифугування, та обробляється з використанням плазмового сухого процесу.

Металорганічні з’єднання Aether поглинають у 3-5 разів більше ультрафіолетового випромінювання порівняно з традиційними резистивними матеріалами на основі вуглецю. Це знижує необхідну дозу опромінення для кожного циклу на пластині і допомагає підтримувати одноразове формування малюнка на передових технологічних вузлах без необхідності дорожчого багаторазового формування малюнка.

У січні Lam оголосила, що провідний виробник пам’яті обрав Aether як основний інструмент для інноваційних процесів виробництва DRAM. Мета IBM та Lam Research полягає в тому, щоб забезпечити надійне перенесення високочастотних EUV-шаблонів на реальні шари транзисторів з високою віддачею, а також прискорити впровадження високочастотних EUV-технологій у виробництві міжз’єднань та шаблонів транзисторів наступного покоління. Саме в питанні віддачі при перенесенні технологія сухого резисту Aether має перевагу над традиційними мокрими процесами, оскільки менша кількість етапів між експозицією та травленням означає меншу ймовірність погіршення якості шаблону за складнішої геометрії.

Транзистори з нанолистів являють багатошарові конструкції з кількох кремнієвих пластин, що дозволяє збільшити провідність без збільшення розмірів. Компанії планують розробити та перевірити повні технологічні процеси для нанолистових і наностекових транзисторів та для зворотного живлення, коли енергія спрямовується через задню поверхню пластини, вивільняючи передні шари міжз’єднань для покращення проходження сигналу.

Раніше ми писали, що китайці зламали літографічну машину ASML під час спроби вкрасти секрети. Дослідники з Корнелльського університету створили перший у світі чип, що працює на мікрохвилях замість традиційних цифрових схем.