Исследователи значительно улучшили память на основе фазового перехода

Исследователь Стивен Эллиот (Stephen Elliott) из Кэмбриджского Университета (University of Cambridge) смог значительно улучшить параметры работы памяти на базе технологии фазового перехода. Отмечается, что память на основе фазового перехода является перспективной разработкой и в будущем позволит создавать компьютеры с мгновенной загрузкой.

Этот тип памяти обеспечивает возможность хранения данных, основываясь на способности материала переключаться между двумя состояниями (кристаллическим и аморфным) при определенном тепловом воздействии, генерируемом электрическим током. Для чтения данных (определения текущего состояния материала на основании анализа величины электрического) используется ток меньшей величины. В качестве материала для памяти на основе фазового перехода, как правило, используется смесь из германия, сурьмы и теллура (Ge2Sb2Te5 или GST). В результате, данная память обладает высокой производительностью, которая в несколько раз превышает производительность современных твердотельных накопителей высокого уровня. При этом она является энергонезависимой, т.е. способна сохранять данные при выключенном энергоснабжении.

Однако изменение состояния материала в результате воздействия напряжения (процесс записи данных) требует определенного времени. Как правило, процесс кристаллизации ячейки памяти занимает не менее 1-10 наносекунд. Стивену Эллиоту удалось улучшить материал таким образом, чтобы процесс кристаллизации сократился до 500 пикосекунд при воздействии напряжением 1 В, что, приблизительно, в 10 раз быстрее существующих решений. Тем самым удалось повысить скорость записи данных. По заверениям разработчика, материал сохраняет стабильность даже после 10 тыс циклов записи/перезаписи данных.