Новости
SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND

SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND

SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND


Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил о создании «самой многослойной в отрасли» 176-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 512 Гбит, способной хранить три бита в одной ячейке. В ноябре компания отправила образцы кристаллов памяти поставщикам контроллеров для тестирования и разработки серийных продуктов на ее основе.

Под хитростным термином «четырехмерная память» (4D NAND) скрывается доработанная трехмерная память. Ключевое отличие технологии 4D NAND от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками непосредственно под основной массив трехмерной памяти. Это и есть дополнительное четвертое измерение в понимании маркетологов SK Hynix. Сама технология размещения периферийных цепей в нижнем слое обозначается PUC (сокращение от Peri. Under Cell). Справедливости ради стоит отметить, что похожие технологии применяют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron. Последняя, к слову, приступила к выпуску собственных 176-слойных чипов флэш-памяти в прошлом месяце.

SK Hynix использует технологию 4D NAND со времен 96-слойных микросхем флэш-памяти (их выпуск был налажен в 2018 году). В июне 2019 года SK Hynix наладила выпуск 128-слойной флэш-памяти 4D NAND, а сейчас производитель перешел к 176-слойной, назвав ее «самой многослойной в отрасли». Эта флэш-память предназначена для использования в мобильных устройствах и корпоративных твердотельных накопителях.

Новые 176-слойные кристаллы, относящиеся к третьему поколению памяти 4D NAND, выделяются рядом улучшений по сравнению с предшественницами — скорость передачи данных выросла на 33%, до 1,6 Гбит/с, а время доступа при чтении сократилось на 20% благодаря технологии выбора массива ячеек. При этом плотность размещения данных в расчете на пластину увеличилась на 35%.

В середине следующего года новая 176-слойная память SK Hynix начнет использоваться в мобильных устройствах, обеспечив прибавку до 70% к скорости чтения и 35% — к скорости записи. Затем SK Hynix расширит область применения новой память твердотельными накопителями потребительского и корпоративного уровня. Также в перспективе компания намерена освоить выпуск 176-слойных кристаллов 3D NAND TLC плотностью 1 Тбит.


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: