Компания SK Hynix сегодня объявила о завершении разработки памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2, использующейся сейчас в суперкомпьютерах и графических ускорителей, пропускная способность увеличена на 50% — до 460 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук).
Фирменная технология TSV (Through Silicon Via) позволяет создавать модули максимального объема 16 ГБ, упаковывая восемь микросхем HBM2E плотностью 16 Гбит каждая в один корпус. Для сравнения, максимальный объем нынешних модулей HBM2 составляет 8 ГБ.
В SK Hynix память HBM2E характеризуют как «оптимальное решение для четвертой промышленной эры, поддерживающее высокопроизводительные графические процессоры, суперкомпьютеры, системы машинного обучения и системы искусственного интеллекта, которым требуется максимальный уровень производительности памяти». Иными словами, это высокопроизводительная и дорогая память для нового поколения суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и графических ускорителей.
Серийный выпуск новой памяти HBM2E компания SK Hynix обещает начать в следующем году.
Источник: TechPowerUp