Новости Новости 12.08.2019 в 13:29 comment

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Владимир Скрипин

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

Компания SK Hynix сегодня объявила о завершении разработки памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2, использующейся сейчас в суперкомпьютерах и графических ускорителей, пропускная способность увеличена на 50% — до 460 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук).

Фирменная технология TSV (Through Silicon Via) позволяет создавать модули максимального объема 16 ГБ, упаковывая восемь микросхем HBM2E плотностью 16 Гбит каждая в один корпус. Для сравнения, максимальный объем нынешних модулей HBM2 составляет 8 ГБ.

В SK Hynix память HBM2E характеризуют как «оптимальное решение для четвертой промышленной эры, поддерживающее высокопроизводительные графические процессоры, суперкомпьютеры, системы машинного обучения и системы искусственного интеллекта, которым требуется максимальный уровень производительности памяти». Иными словами, это высокопроизводительная и дорогая память для нового поколения суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и графических ускорителей.

Серийный выпуск новой памяти HBM2E компания SK Hynix обещает начать в следующем году.

Источник: TechPowerUp

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: