В конце прошлого месяца комитет JEDEC опубликовал обновлённую версию стандарта памяти HBM2. В спецификацию была добавлена поддержка ещё более высоких скоростей – до 3,2 Гбит/с на один вывод, и достигнута пропускная способность до 410 ГБ/с. Тем временем Samsung объявил о выпуске высокопроизводительных модулей памяти Flashbolt HBM2 третьего поколения, которую компания именует как HBM2E.
Samsung была первой компанией, анонсировавшей память Flashbolt во время конференции GPU Technology Conference 2019. Тогда анонс был формальным, и о сроках производства речи не шло. Теперь известно, что компания запустит серийное производство новой памяти в первом полугодии 2020 года.
Южнокорейский гигант предлагает начать с 16-гигабайтных модулей HBM2E, которые созданы из восьми слоев 16-гигабитных DRAM-чипов объёмом по 2 ГБ каждый, размещённых вертикально на матрице. В дальнейшем Samsung сможет перейти на 24-гигабайтные модули с 12 кристаллами в одном стеке памяти. Для выпуска новых микросхем HBM2E будут использоваться технологические нормы класса 1y нм.
Samsung, похоже, ставит перед собой амбициозные цели по достижению максимальной скорости передачи данных для памяти HBM2E. Компания утверждает, что наряду с поддержкой новой спецификации HBM2 со скоростью 3,2 Гбит/с, она сможет выйти за пределы стандарта, увеличив этот показатель до 4,2 Гбит/с. Это увеличит и пиковую пропускную способность каждого стека до 538 ГБ/с. Но остаётся неясным вопрос энергопотребления.
Samsung стал вторым вендором, объявившим спецификацию памяти отличную от HBM2. В прошлом году то же самое сделала компания SK Hynix, которая пообещала осилить производство модулей памяти HBM2E со скоростью передачи данных 3,6 Гбит/с.
Источник: Anandtech