Новости
JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения

JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения

JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения


В конце прошлого месяца комитет JEDEC опубликовал обновлённую версию стандарта памяти HBM2. В спецификацию была добавлена поддержка ещё более высоких скоростей – до 3,2 Гбит/с на один вывод, и достигнута пропускная способность до 410 ГБ/с. Тем временем Samsung объявил о выпуске высокопроизводительных модулей памяти Flashbolt HBM2 третьего поколения, которую компания именует как HBM2E.

JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения

Samsung была первой компанией, анонсировавшей память Flashbolt во время конференции GPU Technology Conference 2019. Тогда анонс был формальным, и о сроках производства речи не шло. Теперь известно, что компания запустит серийное производство новой памяти в первом полугодии 2020 года. 

JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения

Южнокорейский гигант предлагает начать с 16-гигабайтных модулей HBM2E, которые созданы из восьми слоев 16-гигабитных DRAM-чипов объёмом по 2 ГБ каждый, размещённых вертикально на матрице. В дальнейшем Samsung сможет перейти на 24-гигабайтные модули с 12 кристаллами в одном стеке памяти. Для выпуска новых микросхем HBM2E будут использоваться технологические нормы класса 1y нм.

JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения

Samsung, похоже, ставит перед собой амбициозные цели по достижению максимальной скорости передачи данных для памяти HBM2E. Компания утверждает, что наряду с поддержкой новой спецификации HBM2 со скоростью 3,2 Гбит/с, она сможет выйти за пределы стандарта, увеличив этот показатель до 4,2 Гбит/с. Это увеличит и пиковую пропускную способность каждого стека до 538 ГБ/с. Но остаётся неясным вопрос энергопотребления.

Samsung стал вторым вендором, объявившим спецификацию памяти отличную от HBM2. В прошлом году то же самое сделала компания SK Hynix, которая пообещала осилить производство модулей памяти HBM2E со скоростью передачи данных 3,6 Гбит/с.

Источник: Anandtech


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: