Разработан прототип накопителя на основе принципa фазового перехода

Группа исследователей из Университета Калифорнии (University of California) продемонстрировала прототип устройства для хранения данных на базе твердотельной памяти, который основан на принципе фазового перехода. Такой накопитель получил название Moneta.

Разработан прототип накопителя на базе принципе фазового перехода

В новинке применяется память PCM (phase-change memory), которая обеспечивает возможность хранения данных, основываясь на способности халькогенида переключаться между двумя состояниями (кристаллическим и аморфным) при определенном тепловом воздействии, генерируемом электрическим током. Для чтения данных (определения текущего состояни халькогенида) используется ток меньшей величины. Отмечается, что память на основе фазового перехода обладает высокой производительностью, которая в несколько раз превышает производительность современных твердотельных накопителей высокого уровня.

В накопителе Moneta применяются чипы памяти PCM первого поколения производства Micron. Устройство способно считывать данные на скорости до 1,1 ГБ/с, а максимальная скорость записи данных составляет 371 МБ/с. При осуществлении операций с блоками по 512 КБ максимальная скорость чтения составляет 327 МБ/с, максимальная скорость записи — 91 МБ/с. При этом новинка обладает меньшими задержками, чем современные твердотельные накопители. Кроме того, она потребляет меньше энергии.

Разработчики планируют создать накопитель Moneta второго поколения на базе памяти PCM на протяжении ближайших 6-9 месяцев. Отмечается, что коммерческая эксплуатация технологии PCM может начаться в ближайшие годы.