Samsung и Toshiba планируют втрое увеличить производительность NAND флэш-памяти

Samsung и Toshiba представили новую технологию NAND флэш-памяти, отвечающую спецификации DDR2 и обладающую высокоскоростным интерфейсом, как минимум втрое превышающим по производительности существующие решения. Будущие чипы памяти будут производиться с применением 30 нм техпроцесса.

Сейчас в основном применяется либо SDR NAND флэш-память с интерфейсом 40 Мбит/с, либо отвечающая спецификации DDR 1.0 с пропускной способностью интерфейса до 133 Мбит/с, но при этом используется архитектура SDR (Single Data Rate). В новой технологии, предложенной Samsung и Toshiba, пропускная способность интерфейса составляет 400 Мбит/с.

Чипы флэш-памяти следующего поколения могут быть применены в любых областях, где сейчас используются традиционные решения: портативной и бытовой технике, SSD-накопителях, комплексных корпоративных решениях и т. д. Новая технология уже начала проходить процесс стандартизации в организации JEDEC Solid State Technology Association. Обе компании планируют приложить максимум усилий для скорейшего внедрения NAND флэш-памяти стандарта DDR2. Из альтернативных решений можно отметить флэш-память с архитектурой Hydra, но о сроках ее коммерческого внедрения пока ничего не известно.