Во время проведения мероприятия Flash Memory Summit компания Micron анонсировала выпуск памяти 3D NAND пятого поколения с рекордным количеством слоёв – 176. Ранее компания предлагала 128-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND, которые были слабо представлены на рынке.
Пока что Micron не спешит делиться подробными сведениями о 176-слойной флэш-памяти 3D NAND. Больше сведений планируется предоставить в конце месяца. На текущий момент известно, что такие чипы представляют собой TLC-чипы ёмкостью 512 Гбит. Они созданы благодаря объединению двух 88-слойных башен. Толщина слоя составляет 45 мкм. Периферийная логика чипа в основном размещается под стеками ячеек памяти NAND, Эта технология Micron получила название CMOS under Array (CuA), она позволяет создавать наиболее компактные решения. Micron Ожидает, что её 176-слойные чипы ёмкостью 512 Гбит окажутся на 30% меньше по сравнению с теми продуктами, которые сейчас предлагают конкуренты.
Новый чипы обеспечивают заметный прирост производительности. Интерфейс обеспечивает 1600 метатранзакций в секунду. Для сравнения, предыдущие 96- и 128-слойные чипы обеспечивали 1200 метатранзакций в секунду. Задержки при чтении и записи удалось улучшить более чем на 35% по сравнению с 96-слойными чипами и более чем на 25% — по сравнению со 128-слойными чипами. Micron сообщает об общем улучшении работы при рабочих нагрузках примерно на 15% по сравнению с 96-слойными модулями UFS 3.1.
Micron уже приступила к массовому производству новых 176-слойных чипов 3D NAND и начала отгружать их для изготовления потребительских SSD под брендом Crucial.
Источник: anandtech