Новости и статьи по теме ❝Research Alliance❞

Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

Новости Новости 12.03.2021 в 19:05 comment
Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же…

Samsung пропустит 4-нм техпроцесс и перейдёт сразу к 3-нанометровому производству чипов

Как ожидается, в августе этого года компания Samsung запустит массовое производство чипов по нормам 5-нанометрового технологического процесса. Первым устройством, изготовленным по нормам этого…

Samsung теперь планирует перейти на техпроцесс 3 нм в 2022 году. Для выпуска продукции будут использоваться транзисторы нового поколения MBCFET

Новости Новости 16.04.2020 в 08:33 comment
TSMC, как известно, уже полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции, но из-за пандемии отстанет от графика освоения следующего шага технологических норм (3 нм) как минимум на…

TSMC полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции

Новости Новости 15.04.2020 в 10:55 comment
Сразу несколько независимых тайваньских отраслевых источников сообщают, что крупнейший контрактный производитель полупроводниковой продукции Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) развернул…

Digitimes: Samsung переносит начало серийного производства 3-нанометровой продукции на 2022 год

Новости Новости 08.04.2020 в 09:41 comment
Samsung, как и многие другие производители, продолжает сталкиваться с негативными последствиями пандемии коронавируса, которая на момент написания этих строк унесла жизни более 82 000 человек по…

У Samsung готов прототип 3-нанометровой микросхемы с использованием транзисторов GAAFET

Новости Новости 04.01.2020 в 12:18 comment
На сегодняшний день самым передовым техпроцессом для массового производства полупроводниковой продукции является 7-нанометровый. Его используют TSMC и Samsung для производства процессоров и…

Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

Новости Новости 14.01.2019 в 16:11 comment
Казалось бы, только недавно Samsung сообщила о начале серийного производства 7-нанометровой продукции с использованием EUV-литографии (технология 7LPP), ознаменовав начало новой эпохи в…

IBM, Globalfoundries и Samsung представили первый в отрасли транзистор GAAFET для 5-нанометровых микросхем

Новости Новости 06.06.2017 в 11:19 comment
IBM вместе со своими партнерами по проекту Research Alliance — компаниями Globalfoundries и Samsung, а также поставщиками оборудования разработала первый в отрасли техпроцесс для изготовления транзисторов с…

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: