Новости
Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

Казалось бы, только недавно Samsung сообщила о начале серийного производства 7-нанометровой продукции с использованием EUV-литографии (технология 7LPP), ознаменовав начало новой эпохи в полупроводниковой отрасли. Массовый выпуск различной продукции по нормам техпроцесса 7LPP начнется только во втором полугодии этого года. Но на этом этапе Samsung задерживаться не собирается. Как стало известно, всего спустя два года, то есть в 2021 году, Samsung собирается запустить массовое производство полупроводниковой продукции по нормах техпроцесса 3-нм с использованием новой архитектуры транзисторов gate-all-around FET (GAAFET). В случае Samsung технология носит название Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET).

Для начала стоит отметить, что будущая архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Именно она должна помочь отрасли преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — это, как подсказывает название, кольцевые затворы. Если быть точным, каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). Напомним, канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что накладывает ограничения по масштабированию.

Внутренняя структура транзистора GAAFET

Изначальные планы освоения новых норм техпроцесса Samsung, озвученные на мероприятии Samsung Foundry Forum в мае 2017 года, включали переход на техпроцесс 4LPP (4 нм Low Power Plus) в 2020 году и тогда отраслевые наблюдатели заявляли, что Samsung едва ли сможет освоить выпуск продукции по этой технологии ранее 2022 года. Теперь же говорится уже о 3LPP, а предполагаемым сроком выпуска 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET называется 2021 год. Увы, пока неизвестно, для выпуска какой конкретно продукции Samsung намерена использовать эту технологию. Что же касается ответа на вопрос, зачем Samsung столь стремительно рвется вперед и инвестирует огромные деньги в полупроводниковые предприятия по выпуску чипов, включая контрактное производство, то тут есть весьма логическое обьяснение. Один из факторов — уменьшение зависимости от рынка DRAM, который подвержен сильным колебаниям. По итогам 2017 года производство чипов принесло Samsung суммарно около $4,6 млрд. В ближайшие годы Samsung рассчитывает довести годовую выручку на этом направлении до $10 млрд и выше, став вторым по величине в мире контрактным производителем после TSMC.

Источник: tomshardware

 


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: