Fujitsu и SuVolta снизили напряжение питания блоков SRAM до 0,425 В

Компании Fujitsu и SuVolta сообщили о проведении успешной демонстрации функционирования блоков ультра-экономичной памяти SRAM (static random access memory). Отмечается, что в результате объединения CMOS платформы SuVolta PowerShrink, технологии SuVolta DDC (Deeply Depleted Channel) и производственной технологии Fujitsu удалось обеспечить стабильную работу памяти SRAM при напряжении питания всего 0,425 В. Это, приблизительно, в два раза меньше, чем существующие современные решения.

Fujitsu и SuVolta снизили напряжение питания блоков SRAM до 0,425 В

Снижение уровня энергопотребления чипами позволит создавать более экономичные устройства. Это могут быть как портативные электронные устройства, так и серверные системы, а также сетевое оборудование. Каждый класс устройств получит значительные преимущества и улучшения функциональности в результате снижения уровня потребления энергии из отдельных компонентов. Для мобильных устройств это может обеспечить увеличение времени автономной работы от одного заряда аккумулятора, а в серверных системах это приведет к снижению уровня тепловыделения, а следовательно — и к снижению затрат на обслуживание таких систем.

Отмечается, что используемая технология снижения рабочего напряжения питания памяти SRAM достигается при использовании существующей инфраструктуры, включающей современные планировки дизайна SoC (system-on-chip), существующие схемы дизайна и существующие инструменты производства.