HP применила мемристоры для создания чипов памяти

Ученые из исследовательского подразделения HP разработали технологию, которая позволила использовать для создания чипов памяти так называемые мемристоры вместо традиционного кремния. Впервые такой элемент был создан еще в 1971 году, но лишь в 2008 он нашел свое применение в лабораториях HP. Особенностью мемристора является то, что его сопротивление зависит от полярности прилагаемого напряжения и у данного элемента есть эффект памяти.

Главной проблемой в использовании мемристоров в качестве ячеек памяти являлась их низкая скорость переключения из одного состояния в другое. Ученые из HP решили ее, доведя скорость переключения до показателей, сопоставимых с кремниевыми элементами. К тому же мемристоры конструктивно намного проще современных кремниевых транзисторов, используемых в чипах памяти, и при этом они способны хранить информацию без постоянной электрической подпитки.

Среди плюсов новой технологии HP выделяет возможность создания трехмерных массивов из ячеек памяти на основе мемристоров. В течение ближайших лет ученые обещают добиться плотности записи в 20 ГБ на квадратный сантиметр, но это лишь начало. Новая разработка обладает огромнейшим потенциалом в сравнении с традиционными кремниевыми технологиями, которые практически достигли своего предела миниатюризации. Например, наиболее продвинутые кремниевые электронные элементы обладают размерами 30-40 нанометров, в то время как уже существуют полностью функциональные 3-нанометровые мемристоры, способные переключаться от одного состояния к другому за одну наносекунду (одна миллиардная секунды).