Hynix разрабатывает быструю оперативную память для смартфонов

Компания Hynix представила первые чипы памяти DDR2 емкостью 1 Гбит (128 МБ), выполненные с использованием норм техпоцесса 54 нм и ориентированные на применение в смартфонах и коммуникаторах.

Благодаря более тонкому техпроцессу производитель смог увеличить максимальную частоту работы чипов до 1066 МГц и при этом значительно уменьшить энергопотребление микросхем, в сравнении с образцами прошлого поколения. Hynix продвигает новинки как производительное решение не только для высокоуровневых телефонов, но и для интернет-планшетов, и даже нетбуков. Работая в двухканальном режиме чипы памяти обеспечивают полосу пропускания 8,5 ГБ/с, при потреблении 50% энегии необходимой микросхемам памяти предыдущего поколения, и 30% энергии потребляемой модулями RAM в настольных ПК.

Hynix планирует начать массовое производство новых микросхем памяти во второй половине этого года.