Новая технология получения диоксида кремния позволит удешевить производство чипов

Инженеры университета Лондона предложили технологию использования ультрафиолета для получения слоя диоксида кремния при производстве полупроводниковых микросхем. Обычно для этого используется специальный отжиг.

Пленка диоксида кремния выступает в качестве подложки для нанесения литографическим способом проводящих дорожек и одновременно, как активный затвор слоя транзисторов. Диоксид образуется в процессе взаимодействия кислорода из воздуха с кремнием, однако этот процесс очень продолжительные и для его ускорения производители используют специальный отжиг при температуре 1000 градусов. Однако это процедура естественно не очень экологична, да и к тому же весьма энергозатратна.

Так вот ученые колледжа лондонского университета предложили использование специальной процедуры на основе ультрафиолетового облучения в специальном спектре. Она проводится практически при комнатной температуры, не требует больших затрат энергии, а следовательно дешева и к тому же не загрязняет окружающую среду.

Сообщается, что уже ведутся переговоры с несколькими производителям полупроводников и новая технология будет внедрена в ближайшие несколько лет.