Компания Samsung Electronics разработала технологию производства первого в мире чипа флэш-памяти NAND емкостью 64 Gb. Новинка будет выпускаться на основе многоуровневых ячеек памяти (Multi-Level Cell, MLC) по нормам 30 нм техпроцесса. Объединение 16 таких чипов позволит создать карту флэш-памяти емкостью 128 GB: этого объема, по оценкам Samsung, хватит для хранения около 80 фильмов в DVD-качестве.
Сообщается, что на той же 30 нм технологической базе Samsung Electronics может выпускать чипы одноуровневых ячеек памяти (Single-Level Cell, SLC) емкостью 32 Gb. Данные элементы флэш-памяти обладают высоким быстродействием и применяются в основном в твердотельных накопителях, использующихся в ноутбуках и других портативных устройствах.
 |
| Подложка с флэш-чипами рекордной емкости |
В пресс-релизе особо отмечается тот факт, что максимальная емкость базовых компонентов флэш-памяти NAND удваивается каждый год вот уже восемь лет подряд. Немногим меньше — семь лет подряд — происходит ежегодное совершенствование технологических процессов с уменьшением масштабов производства. В частности, в 2001 году флагманской разработкой являлся чип флэш-памяти NAND емкостью 1 Gb, выпускавшийся по нормам 100 нм.
К массовому производству чипов флэш-памяти 64 Gb MLC и 32 Gb SLC компания Samsung Electronics планирует приступить в 2009 году.