Компанія SK Hynix заявила, що вона розробила перші у світі 238-шарові чипи пам’яті TLC 4D NAND місткістю 512 Гбіт. Примітно, що новітнє 238-шарове рішення є водночас найбільш багатошаровим і найменшим за площею.

Завдяки невеликим розмірам загальна продуктивність виробництва збільшилася на 34% у порівнянні з 176-шаровою пам’яттю NAND, оскільки з кожної пластини можна виготовляти більше чипів з вищою щільністю на одиницю площі.

Швидкість передачі 238-шарового чипа становить 2,4 Гбіт/с, що на 50% більше, ніж в попереднього покоління. При цьому кількість енергії, яка споживається для читання даних, знизилася на 21%.

SK hynix вже почала надавати клієнтам зразки 238-шарових чипів пам’яті TLC 4D NAND місткістю 512 Гбіт. Спочатку вони будуть застосовуватися для клієнтських твердотілих накопичувачів, а потім будуть надані рішення для смартфонів та твердотілих накопичувачів великої місткості для серверів. У наступному році компанія також представить 238-шарові чипи місткістю 1 Тбіт, щільність зберігання даних яких подвоїться в порівнянні з нинішніми пристроями місткістю 512 Гбіт.

Джерело: videocardz