Micron интегрировала механизм коррекции ошибок в флэш-память

Компания Micron сообщила о разработке новых флэш-чипов NAND, в которые интегрирован механизм коррекции ошибок. Такие устройства получили название ClearNAND.

Micron интегрировала механизм коррекции ошибок в флэш-память

В рамках серии продуктов ClearNAND используется традиционный интерфейс NAND и новые возможности, позволяющие оптимизировать работу чипов в высокоемких и высокоскоростных приложениях. Отмечается, что в связи с освоением более тонких технологических процессов увеличивается и количество ошибок, что влечет за собой снижение производительности и надежности флэш-чипов. Особенно заметным увеличение количества ошибок становится в 20-нанометровых технологических процессах. Предлагаемые Micron флэш-чипы ClearNAND содержат в одной упаковке как традиционную флэш-память, так и средства коррекции ошибок. Первые устройства ClearNAND изготавливаются по нормам 25-нанометрового технологического процесса в виде чипов MLC (multi-level cell). При этом такие чипы подразделяются на серии Standard и Enhanced. Чипы Standard ClearNAND имеют емкость от 8 до 32 ГБ, снижают нагрузку ECC (error correction code) с хоста с минимальными изменениями в протоколе. Они предназначены для применения в составе потребительских электронных устройств. В то же время чипы Enhanced ClearNAND выполнены в виде устройств емкостью от 16 до 64 ГБ. В данном случае реализованы некоторые дополнительные возможности, направленные на повышение производительности и надежности. Такие чипы предназначены для использования в составе корпоративных и компьютерных систем.

Чипы Micron ClearNAND серий Standard и Enhanced уже доступны для заказа заинтересованными производителями потребительской электроники и компьютерной техники.