Новости Новости 31.01.2020 в 19:27 comment

Western Digital и Kioxia готовят 112-слойную флэш-память 3D NAND плотностью 512 Гбит

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Володимир Скрипін

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

Western Digital и ее стратегический партнер Kioxia (бывшая Toshiba Memory) готовят к выпуску новую флэш-память 3D NAND высокой плотности, в которой будет 112 слоев с ячейками памяти. Эта новая память имеет номенклатурное обозначение BiCS5 и является эволюционным развитием 96-слойной BiCS4.

Плотность первых кристаллов BiCS5 типа TLC (3 бита на ячейку) — 512 Гбит. В будущем планируется выпуск разновидностей TLC объемом 1 Тбит и QLC на 1,33 Тбит.

Судя по всему, 112-слойная память BiCS5 имеет ту же двухплоскостную компоновку, что и 96-слойная BiCS4. Разница лишь в увеличенном количестве слоев в стеках — по 56 в каждом. И хотя 112 слоев соответствует  ~16% увеличению по сравнению с предыдущим поколением, разработчики говорят об увеличении плотности до 40% (сравнивая 112-слойную TLC емкостью 512 Гбит с 96-слойной TLC емкостью 256 Гбит). Повышение плотности было достигнуто, в том числе, благодаря конструктивным усовершенствованиям, позволившим сократить размеры горизонтальных связей. Сообщается, что плотность самого массива памяти на 20% выше. Кроме повышения плотности, которое должно привести к снижению себестоимости, в новой памяти скорость интерфейса была увеличена на 50% — до 1,2 ГТ/с (млрд передач в секунду), что примерно соответствует показателям конкурентов 96L.

Стоит отметить, что конкуренты опередили Western Digital и Kioxia при переходе на чипы 3D NAND с числом слоев 100+. SK Hynix и Micron представили 128-слойные микросхемы в середине прошлого года, а Intel в этом году планирует выпуск SSD на 144-слойных чипах 3D NAND QLC.

Коммерческое производство 112-слойной флэш-памяти 3D NAND плотностью 512 Гбит планируется начать во второй половине этого года. Выпускать новую память будут на заводах Western Digital и Kioxia, расположенных в японских городах Йоккаити и Китаками. В то же время первые коммерческие SSD на базе новой памяти и другие устройства ожидаются в лучшем случае под конец этого года.

Ранее Western Digital заявляла, что переход на BiCS5 требует меньших капиталовложений в модернизацию производство, чем при переходе с 64L на 96L, что полностью меняет тенденцию со стабильным повышением цен на готовую продукцию при каждой смене поколений. Это означает, что переход на 112L, вероятно, будет проходить еще медленнее, а предыдущее поколение памяти 96L BiCS4 будет занимать большую часть объема производства еще достаточно долго.

Курс QA.
Найпростіший шлях розпочати кар'єру в ІТ та ще й з гарантованим працевлаштуванням.
Інформація про курс

Источник: anandtech

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: