Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).
Samsung в этом квартале запустит массовое производство по техпроцессу 3GAE с использованием транзисторов GAAFET (MBCFET)
Компания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early). Это будет первая в отрасли…
TSMC подтвердила строительство завода в Японии и предупредила, что поставки чипов будут «ограниченными» на протяжении всего 2022 года
TSMC во время конференц-звонка с инвесторами, посвященного финансовым результатам прошедшего квартала, подтвердила недавние слухи о строительстве завода в Японии, сообщает Reuters.
DigiTimes: Samsung Electronics испытывает трудности с освоением техпроцесса 3 нм на основе технологии GAAFET
В недавней заметке о повышении цен на услуги TSMC с отсрочкой перехода на техпроцесс 3 нм мы с оптимизмом вскользь упоминали о планах Samsung Electronics начать выпуск 3-нанометровой продукции в 2022 году.…
Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET
Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же…
Samsung пропустит 4-нм техпроцесс и перейдёт сразу к 3-нанометровому производству чипов
Как ожидается, в августе этого года компания Samsung запустит массовое производство чипов по нормам 5-нанометрового технологического процесса. Первым устройством, изготовленным по нормам этого…
TSMC вложит $12 млрд в новый завод по выпуску 5-нм продукции в США
Крупнейший контрактный производитель полупроводниковой продукции Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) сообщила о намерении вложить $12 млрд в строительство новой полупроводниковой фабрики в…
300 млн на 1 мм2. Следующий техпроцесс TSMC N3 обеспечит повышение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза
После публикации свежего квартального отчета TSMC раскрыла некоторые интересные подробности о 3-нм техпроцессе следующего поколения — N3 по внутренним спецификациям компании.
TSMC нарастила доход на 45,2% и почти удвоила чистую прибыль
Компания TSMC опубликовала очередной квартальный отчет. У крупнейшего в мире контрактного производителя полупроводниковой продукции 31 марта завершился первый квартал 2020 финансового года.
Samsung теперь планирует перейти на техпроцесс 3 нм в 2022 году. Для выпуска продукции будут использоваться транзисторы нового поколения MBCFET
TSMC, как известно, уже полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции, но из-за пандемии отстанет от графика освоения следующего шага технологических норм (3 нм) как минимум на…
TSMC полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции
Сразу несколько независимых тайваньских отраслевых источников сообщают, что крупнейший контрактный производитель полупроводниковой продукции Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) развернул…
Digitimes: Samsung переносит начало серийного производства 3-нанометровой продукции на 2022 год
Samsung, как и многие другие производители, продолжает сталкиваться с негативными последствиями пандемии коронавируса, которая на момент написания этих строк унесла жизни более 82 000 человек по…
У Samsung готов прототип 3-нанометровой микросхемы с использованием транзисторов GAAFET
На сегодняшний день самым передовым техпроцессом для массового производства полупроводниковой продукции является 7-нанометровый. Его используют TSMC и Samsung для производства процессоров и…
Samsung анонсировала прорыв в разработке 3-нм технологии и рассказала о планах освоения новых норм техпроцесса
На конференции Samsung Foundry Forum 2019 компания Samsung Electronics, которая в этом году отмечает свое 50-летие, объявила о планах по дальнейшему развитию технологических процессов полупроводникового…