3 нм

У Samsung готов прототип 3-нанометровой микросхемы с использованием транзисторов GAAFET

Samsung анонсировала прорыв в разработке 3-нм технологии и рассказала о планах освоения новых норм техпроцесса


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: