Новости
300 млн на 1 мм2. Следующий техпроцесс TSMC N3 обеспечит повышение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза

300 млн на 1 мм2. Следующий техпроцесс TSMC N3 обеспечит повышение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза

300 млн на 1 мм<sup>2</sup>. Следующий техпроцесс TSMC N3 обеспечит повышение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза


После публикации свежего квартального отчета TSMC раскрыла некоторые интересные подробности о 3-нм техпроцессе следующего поколения — N3 по внутренним спецификациям компании.

Напомним, не так давно TSMC полностью развернула серийный выпуск продукции с применением 5-нм технологических норм или N5. Как мы уже рассказывали, N5 — это первый техпроцесс тайваньского производителя, основанный на новом методе литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Он обеспечивает плотность приблизительно 171,3 млн транзисторов на 1 мм2, что соответствует приросту в 1,87 раза по сравнению с предыдущим самым передовым узлом N7 с показателем плотности 91,2 млн транзисторов на 1 мм2.

Так вот, TSMC, несмотря на недавние слухи о минимум полугодовой задержке, утверждает, что разработка техпроцесса N3 в соответствии с графиком. Пробное производство запланировано на 2021 год, тогда как серийный выпуск соответствущей продукции TSMC рассчитывают начать к концу 2022 года.

Что интересно, на следующем этапе технологических норм 3 нм TSMC решила продолжить проверенные транзисторы FinFET, тогда как конкурирующий 3-нм техпроцесс Samsung предполагает использование транзисторов нового поколения MBCFET.

Техпроцесс N3 должен обеспечить увеличение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза по сравнению с техпроцессом N5. По оценке специалистов WikiChip, это примерно 300 млн транзисторов на 1 мм2.

Если же говорить о показателях производительности и энергопотребления, по сравнению с N5 будущий узел N3 обеспечит прирост быстродействия в 10-15% или тот же уровень быстродействия при снижении энергопотребления на 25-30%.

Источник: FikiChip Fuse


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: