Новости Новости 30.08.2021 в 13:49 comment views icon

DigiTimes: Samsung Electronics испытывает трудности с освоением техпроцесса 3 нм на основе технологии GAAFET

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Владимир Скрипин

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

В недавней заметке о повышении цен на услуги TSMC с отсрочкой перехода на техпроцесс 3 нм мы с оптимизмом вскользь упоминали о планах Samsung Electronics начать выпуск 3-нанометровой продукции в 2022 году. Но если верить сообщению DigiTimes Asia, южнокорейский гигант продолжает испытывать некие серьезные технологические трудности с освоением перспективной технологии GAAFET, идущей на смену нынешней FinFET, и ее внедрение могут отложить до 2023 года.

Для справки: архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Именно она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET). Каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). В то же время канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что и накладывает ограничения по масштабированию.

У Samsung собственная реализация технологии GAAFET, которая носит маркетинговое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). На самом деле MBCFET отличается от GAAFET не только названием, но и технически: в случае реализации Samsung каналы выполнены виде плоских «мостиков», а не «проводков».

Более подробно о GAAFET и успехах Samsung Electronics в освоении следующей ключевой литографической технологии мы рассказывали в начале года:

Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

Книжкова ілюстрація.
Візуалізуй історії, персонажів та світи книг.
Реєстрація на курс

В докладе DigiTimes Asia указывается, что в текущем виде техпроцесс Samsung 3GAE (потенциальный 3LPP) не дотягивает до конкурирующей технологией TSMC 3 нм FinFET с точки зрения производственных затрат и объемов выпуска. И если раньше Samsung планировала перейти к пробному выпуску продукции по техпроцессу 3 нм на основе технологии GAAFET в 2021 году и развернуть полноценное серийное производство в 2022 году, то в текущих реалиях уже рассматривается конец 2022-го – начало 2023-года. И здесь речь о первом поколении технологии GAA Early (GAE). На смену GAA Early в будущем придет улучшенный GAA Plus второго поколения (GAP), который Samsung первоначально рассчитывала запустить в 2023 году.

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: