GAAFET

Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

Samsung пропустит 4-нм техпроцесс и перейдёт сразу к 3-нанометровому производству чипов

TSMC вложит $12 млрд в новый завод по выпуску 5-нм продукции в США


300 млн на 1 мм2. Следующий техпроцесс TSMC N3 обеспечит повышение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза

Samsung теперь планирует перейти на техпроцесс 3 нм в 2022 году. Для выпуска продукции будут использоваться транзисторы нового поколения MBCFET

TSMC полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции

Digitimes: Samsung переносит начало серийного производства 3-нанометровой продукции на 2022 год

У Samsung готов прототип 3-нанометровой микросхемы с использованием транзисторов GAAFET

Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

IBM, Globalfoundries и Samsung представили первый в отрасли транзистор GAAFET для 5-нанометровых микросхем


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: