Компания Samsung заявила о разработке нового чипа флеш-памяти, ориентированного на применение в составе смартфонов и прочих мобильных устройств, который обеспечивает существенный прирост производительности.
Новинка представляет собой упаковку, включающую в себя несколько отдельных чипов. Устройство выполнено на базе технологии PRAM (phase change RAM — память с изменением фазового состояния) и имеет емкость 512 Мб. Сообщается, что такой чип способен осуществлять операции записи со скоростью, которая в три раза превышает возможности используемой в настоящее время флеш-памяти типа NOR. Применение новой энергонезависимой памяти позволит повысить производительность смартфонов, MP3 и мультимедийных проигрывателей. Также сообщается, что использование новинки в составе твердотельных накопителей позволит повысить скорость работы используемых в них контроллеров и кэш-памяти.
Отмечается, что компания Samsung готова начать массовое производство новой флеш-памяти PRAM уже в скором времени, а ее продажи производителям мобильных устройств начнутся уже до конца мая.