Компания SK hynix объявила о разработке самой быстрой в мире мобильной памяти DRAM LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) и предоставила клиентам образцы продуктов.
Память LPDDR5T работает со скоростью передачи данных 9,6 Гбит/с, что на 13 % быстрее LPDDR5X, представленной в ноябре 2022 года. Чтобы подчеркнуть максимальную скорость продукта, SK hynix добавила «Turbo» в конец стандартного имени LPDDR5. Новая память для портативных устройств работает в диапазоне сверхнизких напряжений от 1,01 до 1,12 В и отличается высокой скоростью и сверхнизким энергопотреблением.
«Компания довела технологию до более высокого предела скорости всего за два месяца после внедрения LPDDR5X, мобильной DRAM со скоростью 8,5 Гбит/с, представленной рынку в ноябре 2022 года. Мы укрепим свое лидерство на рынке мобильной памяти DRAM, предоставив продукты с различной емкостью хранения, отвечающие потребностям клиентов».
SK hynix заявила, что предоставила клиентам образцы мультичиповых запоминающих устройств емкостью 16 ГБ, объединяющих несколько чипов LPDDR5T. Устройство может обрабатывать 77 ГБ данных в секунду. Компания планирует начать массовое производство LPDDR5T с использованием техпроцесса 1a, четвертого поколения 10-нм технологии, во второй половине года.
Как и в предыдущем поколении, SK hynix интегрировала процесс HKMG (High-K Metal Gate) 2 в последний продукт, что позволило новому продукту обеспечить наилучшую производительность. Компания ожидает, что LPDDR5T «возглавит рынок до разработки памяти следующего поколения LPDDR6».
SK hynix ожидает, что применение LPDDR5T выйдет за рамки смартфонов и охватит направление искусственного интеллекта (ИИ), машинное обучение и дополненную/виртуальную реальность (AR/VR).
SK Hynix анонсировала первые в мире 238-слойные чипы памяти TLC 4D NAND ёмкостью 512 Гбит
Источник: SK hynix