Компания SK hynix заявила, что в этом месяце она начала массовое производство чипов мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 Гбит на основе технологического процесса 1a-нм. Это уже четвёртое поколение техпроцесса 10-нм класса. Предыдущие поколения носили названия 1x, 1y и 1z. Причём, это первый случай, когда SK hynix начала использовать оборудование EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) для массового производства чипов DRAM.
Отмечается, что благодаря указанным выше улучшениям новая производственная технология должна обеспечить существенное повышение эффективности производства конкурентоспособность по затратам. Компания ожидает, что технология 1a-нм приведёт к увеличению на 25% количества микросхем DRAM, производимых из одной пластины того же размера, по сравнению с предыдущей технологией 1z-нм. Это позволит снизить затраты производства и увеличить предложение чипов в условиях роста спроса на DRAM во всем мире.
Также сообщается, что новые чипы стабильно поддерживают скорость 4266 Мбит/с. Это самая высокая скорость передачи данных, определённая спецификацией мобильной памяти DRAM LPDDR4. Кроме того, анонсированные продукты имеют на 20% меньшее энергопотребление по сравнению с чипами предыдущего поколения.
SK hynix планирует поставлять новейшие продукты DRAM (на базе техпроцесса 1a) для мобильных устройств производителям смартфонов, начиная со второй половины 2021 года. Компания также намерена применять свою технологию 1a-нм к своим продуктам DDR5 с начала следующего года.
Источник: techpowerup
