Новини Пристрої 01.07.2022 о 17:19 comment views icon

Samsung починає виробництво чипів на базі 3-нм техпроцесу з архітектурою Gate-All-Around

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg

Вадим Карпусь

Автор новин

Розділ Технології виходить за підтримки Favbet Tech

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок виробництва чипів на базі свого 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням архітектури транзисторів Gate-All-Around (GAA).

Зазначимо, що архітектура GAAFET, що йде на зміну нинішній FinFET, розробляється організацією, до якої входять IBM, Globalfoundries і Samsung, з 2000 року. Вона має допомогти подолати фізичні обмеження щодо масштабування МОП. Головна особливість GAAFET – кільцеві затвори (звідси й назва gate-all-around FET). Канали транзисторів GAAFET є нанопроводами (вони сформовані з декількох горизонтальних кремнієвих «нанолистів»). Водночас канал FinFET транзистора під затвором є монолітною вертикальною конструкцією «плавник», що і накладає обмеження по масштабуванню.

Samsung має власну реалізацію технології GAAFET, яка має маркетингову назву Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Насправді MBCFET відрізняється від GAAFET не лише назвою, а й технічно: у разі реалізації Samsung канали виконані у вигляді плоских «містків», а не «проводків».

Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around

Як заявляють у Samsung, технологія MBCFET долає обмеження продуктивності FinFET, підвищуючи ефективність енергоспоживання шляхом зниження рівня напруги живлення, а також збільшуючи продуктивність внаслідок збільшення допустимого струму приводу. У запатентованій технології Samsung використовуються нанолисти з ширшими каналами, що забезпечує підвищену продуктивність та більшу енергоефективність у порівнянні з технологіями GAA, які використовують нанопроводки з вужчими каналами. Використовуючи 3-нм технологію GAA, Samsung зможе регулювати ширину каналу нанолиста, щоб оптимізувати енергоспоживання та продуктивність для задоволення потреб клієнтів.

Нова технологія використовуватиметься для виробництва напівпровідникових чипів для високопродуктивних обчислювальних додатків з низьким енергоспоживанням і планує розширити її на мобільні процесори.

Зазначається, що оптимізований 3-нм техпроцес забезпечує зниження енергоспоживання на 45%, підвищення продуктивності на 23%, а також меншу площу поверхні кристала на 16% в порівнянні з 5-нм техпроцесом.

Курс Frontend від Mate academy.
Frontend розробник може легко створити сторінки вебсайту чи вебдодаток. Тому після курсу ви станете затребуваним фахівцем у сфері, що розвивається.
Інформація про курс

Додатково Samsung повідомляє про надання 3-нм проєктної інфраструктури та послуг із партнерами SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), включаючи Ansys, Cadence, Siemens та Synopsys. Це має допомогти клієнтам удосконалити свій продукт у найкоротші терміни.

Джерело: videocardz

Розділ Технології виходить за підтримки Favbet Tech

Favbet Tech – це ІТ-компанія зі 100% українською ДНК, що створює досконалі сервіси для iGaming і Betting з використанням передових технологій та надає доступ до них. Favbet Tech розробляє інноваційне програмне забезпечення через складну багатокомпонентну платформу, яка здатна витримувати величезні навантаження та створювати унікальний досвід для гравців. IT-компанія входить у групу компаній FAVBET.

Триває конкурс авторів ІТС. Напиши статтю про розвиток ігор, геймінг та ігрові девайси та вигравай професійне ігрове кермо Logitech G923 Racing Wheel, або одну з низькопрофільних ігрових клавіатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Повідомити про помилку

Текст, який буде надіслано нашим редакторам: