Samsung в рамках Tech Day 2021 поделилась информацией о разработке памяти следующих поколения.
К сожалению, нет никаких слайдов или фотографий с мероприятия, так как условия конфиденциальности Samsung не позволяли их делать. Так что приходится довольствоваться лишь передачей слов инженеров и руководителей компании.
Пока память DDR5 является новинкой и лишь начинает выходить на рынок, Samsung уже работает над оперативной памятью следующего поколения. Как ожидается, память DDR6 обеспечит вдвое большую скорость и пропускную способность. Стандарт DDR6 ещё не формализован организацией JEDEC, однако спецификации по умолчанию должны обеспечивать скорость передачи данных около 12800 Мбит/с. Samsung подтверждает, что технология находится на ранней стадии разработки, поэтому цифры, представленные компанией, вероятно, изменятся. Тем не менее, вполне можно ожидать появления разогнанной памяти DDR6 со скоростью до 17000 Мбит/с. Также сообщается, что оперативная память DDR6 будет иметь 4 канала на модуль (вдвое больше по сравнению с DDR5), а количество банков памяти увеличится до 64, что в 4 раза больше по сравнению со стандартом DDR4.
Samsung также раскрыла информацию о стандартах памяти, которые придут на смену GDDR6. Судя по всему, сейчас компания разрабатывает стандарт GDDR6+, который обеспечит скорость передачи данных до 24 Гбит/с. Это выше возможностей стандарта GDDR6 (18 Гбит/с).
Кроме того, в разработке находится память стандарта GDDR7, хотя сроки её появления пока не называются. Эта технология должна увеличить пропускную способность памяти до 32 Гбит/с и обеспечить «функцию защиты от ошибок в реальном времени». Более подробные сведения не сообщаются.
Дополнительно сообщается, что Samsung начнет массовое производство памяти HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) во втором квартале 2022 года. Память GDDR6 планируется в скором времени запустить в производство с применением техпроцесса Samsung 1z нм.
Источник: videocardz