Micron, ранее представившая чипы DDR5 емкостью 24 Гб, готовится к массовому производству микросхем 32 Гб DDR5 и модулей большей емкости в первой половине 2024 года. Компания сообщила об этом в рамках анонса памяти HBM3 Gen2.
Монолитная 32 Гб схема памяти DDR5 от Micron будет производиться по техпроцессу Micron 1β (1-beta) – последнему, в котором не используется литография в экстремальном ультрафиолете. Micron не раскрывает скорости передачи данных новых 32-гигабитных блоков. Чипы на 32 Гб открывают возможность создания модулей DDR5 емкостью 1 ТБ. Но Micron не торопится предлагать память максимальной емкости и в следующем году предложит только модули на 128 ГБ.
Память HBM3 Gen2 Micron называет из-за общей пропускной способности 1,2 ТБ/с 8-уровневого стека максимальной емкостью 24 ГБ (схемы на 36 ГБ будут представлены в ближайшее время). По сравнению с предыдущим поколением, HBM2E, энергоэффективность новинки увеличилась в 2,5 раза.
В дорожной карте компании также значится память HBMNex – возможная HBM4. Память следующего поколения обеспечит пропускную способность 2+ ТБ/с и емкость до 64 ГБ в 2026 году.
Китай запретил покупку чипов американской Micron, имеющей заводы в стране
Источник: Tom’s Hardware и Tom’s Hardware
