Новости
Samsung Electronics начала массовое производство первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит

Samsung Electronics начала массовое производство первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит


Samsung-Electronics-Starts-Mass-Production-of-Industry’s-First-8-Gigabit-LPDDR4-Mobile-DRAM

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит, построенных на основе 20-нм технологического процесса. Память LPDDR является наиболее распространенным типом оперативной памяти среди мобильных устройств по всему миру.

«Приступая к серийному выпуску 20-нм микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит, которые даже быстрее, чем память типа DRAM для ПК и серверов, и при этом потребляет гораздо меньше энергии, мы вносим свой вклад в своевременный запуск UHD и флагманских мобильных устройств с большими экранами», — отметил Джу Сун Чой, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу Samsung Electronics.

Новые кристаллы обеспечивают двукратный прирост в производительности и плотности по сравнению с чипами LPDDR3 плотностью 4 Гбит, выпуск которых с использованием 20-нанометровой технологии был освоен ранее. Новые кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит позволяют создавать микросхемы памяти LPDDR4 объемом 4 ГБ.

Новая память поддерживает скорость передачи данных 3200 Мбит/с в расчете на один вывод, что вдвое выше скорости обычной памяти DDR3, установленной в ПК или серверах, и позволяет использовать ее для требовательных к быстродействию задач вроде серийной фотосъемки с разрешением более 20 Мп и записи/воспроизведения видео разрешения 4К.

Благодаря сниженном до уровня 1,1 В напряжению питания, микросхемы LPDDR4 являются памятью с наименьшим энергопотреблением, предназначенной для смартфонов, планшетов и высокопроизводительного сетевого оборудования. К примеру, в случае использования микросхемы объемом 2 ГБ, внутри которой упакованы 20-нм кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, экономия энергии достигает до 40% по сравнению с микросхемой того же объема, использующей кристаллы LPDDR4 плотностью 4 Гбит.

Применив для линий ввода-вывода фирменную технологию LVSTL (low-voltage swing-terminated logic), компании Samsung удалось дополнительно уменьшить энергопотребление и одновременно обеспечить работу на более высоких частотах при низком напряжении питания.

Компания Samsung уже приступила к поставкам модулей памяти LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ, построенных на основе микросхем плотностью 8 и 6 Гбит соответственно. В начале 2015 года южнокорейский гигант планирует начать поставки модулей объемом 4 ГБ.

Источник: Samsung


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: