Новости Новости 24.12.2014 в 11:18 comment

Samsung Electronics начала массовое производство первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Володимир Скрипін

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

Samsung-Electronics-Starts-Mass-Production-of-Industry’s-First-8-Gigabit-LPDDR4-Mobile-DRAM

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит, построенных на основе 20-нм технологического процесса. Память LPDDR является наиболее распространенным типом оперативной памяти среди мобильных устройств по всему миру.

«Приступая к серийному выпуску 20-нм микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит, которые даже быстрее, чем память типа DRAM для ПК и серверов, и при этом потребляет гораздо меньше энергии, мы вносим свой вклад в своевременный запуск UHD и флагманских мобильных устройств с большими экранами», — отметил Джу Сун Чой, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу Samsung Electronics.

Новые кристаллы обеспечивают двукратный прирост в производительности и плотности по сравнению с чипами LPDDR3 плотностью 4 Гбит, выпуск которых с использованием 20-нанометровой технологии был освоен ранее. Новые кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит позволяют создавать микросхемы памяти LPDDR4 объемом 4 ГБ.

Новая память поддерживает скорость передачи данных 3200 Мбит/с в расчете на один вывод, что вдвое выше скорости обычной памяти DDR3, установленной в ПК или серверах, и позволяет использовать ее для требовательных к быстродействию задач вроде серийной фотосъемки с разрешением более 20 Мп и записи/воспроизведения видео разрешения 4К.

Благодаря сниженном до уровня 1,1 В напряжению питания, микросхемы LPDDR4 являются памятью с наименьшим энергопотреблением, предназначенной для смартфонов, планшетов и высокопроизводительного сетевого оборудования. К примеру, в случае использования микросхемы объемом 2 ГБ, внутри которой упакованы 20-нм кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, экономия энергии достигает до 40% по сравнению с микросхемой того же объема, использующей кристаллы LPDDR4 плотностью 4 Гбит.

Курс Job Interview Crash Course від Enlgish4IT.
Отримайте 6 шаблонів відповідей на співбесіді, які ви зможете використовувати для структурування своїх відповідей. Отримайте знижку 10% за промокодом ITCENG.
Приєднатися

Применив для линий ввода-вывода фирменную технологию LVSTL (low-voltage swing-terminated logic), компании Samsung удалось дополнительно уменьшить энергопотребление и одновременно обеспечить работу на более высоких частотах при низком напряжении питания.

Компания Samsung уже приступила к поставкам модулей памяти LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ, построенных на основе микросхем плотностью 8 и 6 Гбит соответственно. В начале 2015 года южнокорейский гигант планирует начать поставки модулей объемом 4 ГБ.

Источник: Samsung

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: